Samsung готовится в полной мере воспользоваться высоким спросом на высококачественные решения в области памяти, вызванным золотой лихорадкой искусственного интеллекта. Компания уже получила много похвал за свои новые продукты памяти с высокой пропускной способностью от таких компаний, как NVIDIA, лидера рынка полупроводников для искусственного интеллекта.
Сейчас компания стремится расширить линейку продуктов, чтобы удовлетворить растущий спрос. С этой целью, Samsung Ожидается, что к следующему году она представит свои продукты 3D DRAM, чтобы лучше конкурировать с местным конкурентом SK Hynix и занять лидирующие позиции на мировом рынке чипов искусственного интеллекта.
Samsung стремится доминировать в сегменте чипов памяти с искусственным интеллектом
Samsung в прошлом месяце поделилась своей дорожной картой развития 3D DRAM. Ячейки в 3D DRAM укладываются вертикально, поэтому емкость на единицу увеличивается втрое по сравнению с нынешним методом их горизонтального укладки. Этот подход похож на память с высокой пропускной способностью.
Ожидается, что в следующем году будет выпущена ранняя версия 3D DRAM, основанная на технологии транзисторов с вертикальным каналом. Сообщается, что в 2030 году компания собирается выпустить многоуровневую DRAM, в которой все ячейки, включая конденсатор, сгруппированы в кучу.
3D DRAM могут позволить Samsung стать лидером в индустрии чипов искусственного интеллекта, уступив корону SK Hynix, которая в настоящее время занимает 90% мирового рынка HBM и DRAM для приложений искусственного интеллекта. Несмотря на то, что SK Hynix, как полагают, работает над этой технологией, она не поделилась никакой дорожной картой для 3D DRAM.
Samsungстремится выйти на растущий глобальный рынок 3D DRAM, который, по прогнозам, к 2030 году вырастет до 100 миллиардов долларов. Рынок в настоящее время находится в зачаточном состоянии, поэтому вполне возможно, что эти цифры могут быть ниже или даже выше, причем последнее более вероятно, учитывая высокий спрос на решения памяти AI.
