Samsung объявила о начале массового производства новых чипов памяти вертикального типа NAND (V-NAND) 9-го поколения. Их битовая плотность на 50 % выше, чем у продуктов 8-го поколения.
Кроме того, продукты 9-го поколения поддерживают новый интерфейс флэш-памяти NAND под названием «Toggle 5.1», который обеспечивает скорость передачи данных до 3,2 Гбит/с, что на 33% выше, чем у предыдущих поколений. В довершение ко всему, новые чипы на 10% более энергоэффективны.
Большая работа была проделана над 9-м поколением V-NAND. Samsung использовали новые инновации, такие как предотвращение помех в сотах и продление срока службы клеток. Кроме того, компания использовала свою передовую технологию травления каналов, которая помогает максимизировать производительность на заводе.
Новые более быстрые чипы V-NAND большей емкости будут использоваться в таких продуктах, как высокопроизводительные твердотельные накопители. Samsung планирует расширить поддержку PCIe 5.0, чтобы использовать всю дополнительную скорость.
В настоящее время компания массово производит чипы V-NAND 9-го поколения емкостью 1 ТБ с трехуровневыми ячейками (TLC). Во второй половине этого года компания также начнет производство варианта этих чипов с четырехуровневыми ячейками (QLC).
Источникz
