За последние несколько лет, Samsung Foundry и TSMC были единственными брендами, способными производить полупроводниковые чипы по 7-нм (или лучше) техпроцессу. Хотя TSMC была лучшей по производительности и эффективности, Samsung был хорошим вариантом для фирм, которые не могли позволить себе TSMC или получить достаточный объем продаж.
Intel и Rapidus планируют в ближайшее время выпустить 2-нм чипы, чтобы составить конкуренцию Samsung Литейное производство и TSMC
Однако ситуация становится все более проблематичной для Samsung В сфере контрактного производства полупроводниковых чипов появились новые конкуренты Foundry. Intel Foundry (ранее известная как Intel Foundry Services) и Rapidus — последние компании, объявившие о планах по производству чипов с использованием 2-нм (или лучше) технологических узлов. Intel Foundry объявила, что будет производить полупроводниковые чипы с использованием узлов Intel 4 (эквивалент 4 нм), Intel 3 (эквивалент 3 нм), Intel 18A (эквивалент 1,8 нм) и Intel 14A (эквивалент 1,4 нм). Японская фирма Rapidus объявила о планах по производству 2-нм чипов. Это проблема для Samsung Литейный завод.
Intel объявила о своих будущих процессах и графиках производства чипов на мероприятии Direct Connect. Похоже, компания готова начать производство чипов на 20 и 18 А к концу этого года. И компания планирует привлечь к своим новым узлам различные известные производители микросхем. Компания уже объявила, что будет производить чипы для Microsoft по технологии 18A. Однако названия чипов и то, для чего они будут использоваться, не разглашаются. Сообщается, что помимо производства чипов Intel, Intel Foundry также ведет переговоры с Nvidia и Qualcomm о производстве чипов для них.
Компания уже выпустила чипы Meteor Lake (Intel 14-го поколения) с использованием процесса Intel 4. Используя процесс Intel 3, компания планирует производить серверные чипы Xeon под кодовыми названиями Granite Rapids и Sierra Forest. Группа процессов Intel 3 будет иметь несколько версий: Intel 3-T, Intel 3-P и Intel 3P-T. Это будет последнее семейство процессов компании, использующее структуру FinFET для транзисторов. Новые технологические узлы (начиная с Intel 18A) будут использовать структуру Gate-All-Around (GAA FET), называемую RibbonFET, аналогичную той, что Samsung Foundry использует для своих 3-нм чипы.
Tenstorrent будет использовать 2-нм техпроцесс Rapidus для чипов искусственного интеллекта
Tenstorrent, компания по производству чипов искусственного интеллекта, возглавляемая легендарным разработчиком микросхем Джимом Келлером, поставила перед собой задачу Samsung Foundry начнет производить 4-нм чипы несколько месяцев назад. Однако несколько дней назад компания объявила, что подписала соглашение о лицензировании своих технологий процессоров RISC-V и AI с Японским центром передовых полупроводниковых технологий (LSTC). LSTC будет использовать технологию Tenstorrent для создания ориентированного на периферию ускорителя искусственного интеллекта, который будет опираться на конструкцию с несколькими микросхемами. Rapidus будет производить эти чипсеты по 2-нм техпроцессу где-то в 2027 году.
Авторы Note: Если Rapidus действительно сможет начать производство 2-нм чипов в 2027 году, это станет крупным прорывом для компании и Японии. Он войдет в высшую лигу Intel, Samsungи TSMC. Если Samsung Foundry не решает проблемы, связанные с производительностью, с помощью своего 3-нм технологического процесса, у таких компаний, как Nvidia и Qualcomm, есть реальная возможность перейти на Intel (или, возможно, даже на Rapidus) в будущем.
