Глава Samsung’подразделения полупроводников признал на прошлой неделе, что существующие в компании технологии массового производства и передовые технологические процессы отстают от самых передовых производственных узлов TSMC на несколько лет. Но Samsung упорно работает над тем, чтобы догнать своего более крупного конкурента через пять лет.
“Если быть честным, Samsung литейные технологии Electronics отстают от TSMC”, – сказал доктор Кье Хен Кюн, руководитель Samsung Electronics Device Solutions Division, курирующий глобальные операции подразделений памяти, системных LSI и литейного производства” на лекции в Корейском передовом институте науки и технологий (KAIST), сообщает Hankyung. “Мы можем превзойти TSMC в течение пяти лет”.
Samsung в последние годы инвестировала десятки миллиардов долларов в свое литейное подразделение в попытке догнать TSMC и Intel как по производственным мощностям для LSI-чипов, так и по технологическим преимуществам. Компания значительно сократила разрыв со своими конкурентами, но она все еще не дотягивает до технологий производства TSMC, когда речь идет о производительности, мощности, площади (плотности транзисторов) и стоимостных показателях.
В то время как Samsung Foundry является первым контрактным производителем микросхем, внедрившим транзисторы с затворным обходом (GAA) в своем узле SF3E (3GAE, 3 нм, gate-all-around early), и клиенты компании с энтузиазмом относятся к самой технологии и новой архитектуре транзисторов, этот процесс не используется для Samsung’собственных передовых систем-на-чипах для смартфонов.
“Реакция клиентов на Samsung 3-нм техпроцесс GAA компании Electronics – это хорошо”, – сказал д-р Кье Хен Кюн.
Тем временем Samsung’latest Galaxy S23-серия использует Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 SoC производится компанией TSMC по технологическому процессу N4.
Samsung Самая передовая технология Foundry, которая может быть использована для изготовления высокосложных SoC для смартфонов или других требовательных приложений – SF4 (4LPP, 4 нм, low-power plus), которая, как признает компания, значительно отстает от узла N3 (N3B) компании TSMC, по слухам, в настоящее время используется для массового производства высокосложных SoC компании Apple.
Компания может несколько сократить разрыв с N3 и N4P от TSMC с помощью своего SF4P (4LPP+), который будет доступен для клиентов позже в этом году, согласно разъяснению, опубликованному @Tech_Reve.
Samsung У Foundry будет больше шансов догнать TSMC, когда ее производственный узел SF3 (3GAP) поступит в серийное производство в 2024 году, хотя к тому времени TSMC также будет предлагать свою более продвинутую технологию производства N3P. Примерно в это же время Samsung также планирует предложить SF4X (4HPC), технологию производства класса 4 нм, которая (как следует из названия) будет предназначена для высокопроизводительных CPU и GPU.
Samsung как сообщается, считает , что переход на транзисторы GAA в 2022 ~ 2023 годах имеет большой смысл, поскольку у компании будет время устранить проблемы, связанные с новой архитектурой, раньше своих конкурентов, прежде всего Intel и TSMC. В результате, когда они начнут производить чипы по своим технологиям класса 2 нм (20A, N2) в 2024 – 2025 годах и, возможно, столкнутся с теми же проблемами, что и TSMC. Samsung , ее узел SF2 сможет предложить лучшее сочетание мощности, производительности, плотности транзисторов, стоимости и выхода.
Источник: Hankyung.com (через @Tech_Reve)
