Последнее обновление: 13 сентября 2024 г. в 12:34 UTC+02:00
Samsung Теперь это первая компания в отрасли памяти, которая запустила в массовое производство память V-NAND 9-го поколения QLC (Quad-Level Cell). Samsung Впервые анонсировала свою память V9 QLC в августе, а на этой неделе технологический гигант подтвердил, что новейшая технология выходит на конвейер.
Эта новая технология поступила в массовое производство всего через несколько месяцев после Samsung началось производство первой в отрасли памяти V-NAND с трехуровневыми ячейками (TLC) 9-го поколения.
Samsung Производство памяти TLC V-NAND началось в апреле, но теперь компания готова к массовому производству решений на базе четырехуровневых ячеек (QLC), заявляя, что намерена укрепить свое лидерство на рынке высокопроизводительной флэш-памяти NAND большой емкости.
Мощная память для эпохи ИИ
9-е поколение QLC V-NAND может похвастаться 86%-ным увеличением плотности битов по сравнению с предыдущим решением V7 QLD. Оно имеет скорость ввода-вывода до 3,2 ГБ/с и поддерживает буферизацию SLC/TLC.
Samsung использует Разработанная форма технология регулировки расстояния между линиями слов (WL), которые управляют ячейками. Эта технология обеспечивает однородность и оптимизацию характеристик ячеек по слоям и внутри них.
Samsung’s Травление каналов и отверстий Технология была использована для достижения самого большого количества слоев в отрасли. И Предиктивная программа Технология используется для прогнозирования и контроля изменений состояния клеток, чтобы свести к минимуму ненужные действия.
Все это, как ожидается, улучшит производительность памяти в наступающей эре искусственного интеллекта. Благодаря 9-му поколению QLC V-NAND, Samsung говорит, что предлагает «полная линейка передовых решений SSD, отвечающих потребностям эпохи ИИ».
