Samsung является крупным производителем микросхем хранения данных, и сегодня компания объявила о начале массового производства своих новейших микросхем NAND — QLC 9-го поколения V-NAND с объемом памяти 1 терабит (125 ГБ).
Еще в апреле, Samsung стала первой компанией, которая начала массовое производство 9-го поколения V-NAND с технологией TLC (трехуровневая ячейка). Теперь они модернизируют ее до решения с четырехуровневой ячейкой (QLC), что позволяет хранить 4 бита на ячейку и, следовательно, более плотный физический чип.
Это привело к увеличению скорости записи данных в два раза и снижению энергопотребления при чтении и записи данных на 30% и 50% соответственно.
Сунг Хой Хур, исполнительный вице-президент и руководитель отдела флэш-продукции и технологий, сказал, что массовое производство пришло как раз вовремя Samsung для удовлетворения потребности в передовых решениях SSD в эпоху искусственного интеллекта.
Одним из технологических прорывов, позволивших создать QLC V-NAND, является травление канальных отверстий. Samsung достигнуто большее количество слоев за счет двухслойной структуры, при этом оптимизирована площадь ячеек и периферийных цепей, что позволило повысить плотность на 86% по сравнению с предыдущим поколением.
Samsung внедрили технологию Designed Mold, которая позволила добиться однородности и оптимизации характеристик ячеек по слоям и внутри них. В результате эффективность хранения данных улучшилась на 20%, что привело к повышению надежности продукта.
Также снижено энергопотребление при чтении и записи данных, а новое решение удвоило производительность записи благодаря технологии, которая сводит к минимуму ненужные действия на чипе.
Чипы QLC V-NAND обычно используются в SSD. Это решение позже распространится на ПК, серверные SSD для облачных сервисов и универсальные флэш-накопители, в основном используемые в смартфонах.
