Samsung Foundry и TSMC — самые передовые в мире производители микросхем по контракту, и в последние несколько лет TSMC одерживает верх. Пока Samsung пытался улучшить свою игру, но безуспешно. Благодаря 3-нм техпроцессу производства чипов южнокорейская фирма надеялась вернуть себе именитых клиентов, но даже этого не произошло. TSMC сделала еще один шаг, который увеличивает разрыв с Samsung.
TSMC представляет более дешевые 4-нм чипы
TSMC представила свой новый узел производства чипов N4C на Североамериканском технологическом симпозиуме 2024. Это более дешевый уровень 4-нм процесса и расширенная версия N4P, самой передовой технологии в классе 5-нм процесса. По данным AnandTech, TSMC модифицирует архитектуру структуры ячеек и SRAM, сокращает количество маскирующих слоев и меняет некоторые другие элементы конструкции, чтобы уменьшить сложность чипов. Это, в свою очередь, уменьшит размер матрицы на 8,5% и сложность изготовления. Также говорят, что он имеет лучший выход, чем N4P.
Тайваньская фирма также предлагает производителям микросхем несколько вариантов сосредоточиться на затратах или проектировании. В то время как такие известные бренды, как Apple, AMD, MediaTek, Nvidia и Qualcomm, стремятся использовать 3-нм техпроцесс TSMC для своих флагманских чипов, многие производители чипов, скорее всего, будут использовать процесс N4C для своих нефлагманских чипов, чтобы снизить производственные затраты и повысить ценность. фишки на деньги. Чипы на базе N4C могут быть выпущены где-то в следующем году, и этот процесс может использоваться долгие годы.
В сравнении, Samsung недавно выпустила чип Exynos 2400, основанный на 4-нм техпроцессе третьего поколения. Ожидается, что 4-нм процессы четвертого и пятого поколений будут готовы позднее в этом году и в 2025 году. Однако компания не пообещала никаких цифр по их эффективности и производительности.
TSMC обещает начать массовое производство 1,6-нм чипов в 2026 году
TSMC также представила свой первый процесс производства чипов класса Angstrom — A16 (1,6 нм). Это будет первый процесс, использующий технологию Backside Power Delivery Network (BSPDN) для значительного повышения производительности и энергоэффективности. Технологию BSPDN обещали использовать в 2-нм техпроцессе TSMC, но она была удалена из 2-нм процесса и дебютирует в 1,6-нм чипах.
A16 также будет использовать полевой транзистор Gate-All-Around (GAAFET) для увеличения плотности транзисторов. Эта технология уже использовалась в Samsung3-нм техпроцесс, но мы еще не видели его результатов. Ни один чип ПК или смартфона не изготовлен с использованием Samsung 3-нм техпроцесс Foundry еще не выпущен.
TSMC обещает повышение производительности на 8–10% при той же мощности и сложности, что и процесс N2P. Чипы, использующие процесс A16, могут обеспечить повышение энергоэффективности на 15–20% при той же частоте и количестве транзисторов. Что касается плотности транзисторов, TSMC утверждает, что A16 обеспечивает улучшение на 7–10%.
