Samsung, крупнейший в мире производитель чипов памяти, объявил, что является первым брендом, начавшим массовое производство флэш-чипов TLC 9-го поколения V-NAND емкостью 1 ТБ. TLC относится к ячейке трех уровней, и новые чипы могут хранить 3-битные данные в одной ячейке.
Samsung становится первым в мире брендом, начавшим массовое производство флэш-чипов V-NAND 9-го поколения емкостью 1 ТБ.
Южнокорейская фирма разработала самый маленький в мире размер ячейки с минимальной толщиной формы для своих флэш-чипов V-NAND 9-го поколения емкостью 1 ТБ. Это позволило увеличить битовую плотность в 1,5 раза по сравнению с чипами предыдущего поколения. Площадь поверхности ячейки также была уменьшена за счет технологии удаления отверстий в канале-заглушке. Samsung говорит, что ее новая технология также улучшила качество и надежность продукции. Это было сделано за счет использования технологий предотвращения помех и продления срока службы ячеек. Эти новые чипы также представляют собой единый продукт высочайшего качества, который можно использовать в двухстековой структуре.
Samsung также использует технологию травления каналов для создания электронных путей путем укладки слоев пресс-формы и максимизации производительности производства. Это позволяет одновременно бурить самое большое в отрасли количество слоев клеток в двухъярусной структуре. Поскольку количество слоев ячеек во флэш-чипе NAND увеличивается, становится важно проникнуть сквозь них. Для достижения этой цели необходимы более сложные методы травления.
Этот новый чип также использует SamsungИнтерфейс флэш-памяти NAND следующего поколения под названием Toggle 5.1. Это увеличивает скорость ввода/вывода данных на 33%, достигая 3,2 Гбит/с. Samsung также добавлена поддержка нового интерфейса PCIe 5.0. Samsung также добилась повышения энергоэффективности на 10% благодаря своим новым чипам.
Эти чипы можно использовать в высокопроизводительных твердотельных накопителях, например, в Galaxy Бронируйте 4 Ultra в нашем видео ниже. Их также можно использовать в игровых консолях, ПК, серверах и т. д. Samsung заявляет, что начнет массовое производство QLC (Quad Level Cell) во второй половине 2024 года.
СунгХой Хур, руководитель отдела флэш-продуктов и технологий в сфере памяти в Samsung Электроника сказала: «Мы рады представить первую в отрасли V-NAND 9-го поколения, которая позволит сделать шаг вперед в будущих приложениях. Чтобы удовлетворить растущие потребности в флэш-решениях NAND, Samsung расширил границы клеточной архитектуры и операционных схем для нашего продукта следующего поколения. Благодаря нашей новейшей версии V-NAND, Samsung продолжит задавать тренд на рынке высокопроизводительных твердотельных накопителей (SSD) высокой плотности, отвечающих потребностям будущего поколения искусственного интеллекта.«
