Вчера стало известно, что Samsung начнет производить усовершенствованные чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM), используемые для различных приложений, включая искусственный интеллект, с использованием технологии, которую предпочитает ее местный конкурент SK Hynix. Сообщается, что компания пошла на этот переход, чтобы увеличить выпуск чипов HBM.
SK Hynix сумела закрепиться на рынке БЧМ. Samsung, давняя доминирующая сила на рынке памяти, безусловно, захочет захватить себе как можно большую долю. Однако компания отрицает, что собирается использовать ту же технологию, что и SK Hynix.
Samsungпридерживается того, как он делает вещи
SamsungЧипы HBM производятся с использованием метода непроводящей пленки, при котором чипы укладываются друг на друга. Говорят, что этот метод хорошо работает для чипов с меньшим количеством слоев, но создает проблемы для чипов с большим количеством слоев, что приводит к снижению выхода продукции. Говорят, что это одна из причин, почему Samsung отстает в сегменте HBM, поставляя чипы HBM3 ведущим производителям микросхем искусственного интеллекта, таким как NVIDIA.
SK Hynix использует процесс заливки методом массового оплавления, который, очевидно, не страдает теми же недостатками и обеспечивает выход 60-70%. Именно это позволило SK Hynix занять доминирующее положение на рынке, а также подписать недавнюю сделку с NVIDIA на поставку чипов HBM3.
Однако, Samsung хотел бы, чтобы все знали, что в этих сообщениях нет правды. В коротком заявлении представитель компании подтвердил, что «Ходят слухи о том, что Samsung Electronics будет применять MR-MUF в своем производстве HBM, это неправда». Представитель также опроверг сообщения о низкой урожайности, заявив, что Samsung продолжает поддерживать стабильный уровень доходности своих чипов HBM3.
