Qualcomm представит Snapdragon 8 Gen 4, который может пробиться в Galaxy Смартфоны серии S25, на Snapdragon Саммит в октябре этого года.
Согласно многочисленным сообщениям, будущий SoC обеспечит огромный прирост производительности по сравнению со своим предшественником. Snapdragon 8 Gen 3, который питает Galaxy С24 Ультра. Предыдущая утечка утверждала, что Snapdragon 8 Gen 4 достигнет одноядерного результата в 2800 баллов на Geekbench, что является огромным скачком по сравнению с Snapdragon 8 Оценка Gen 3 2100 баллов. Что ж, сегодня у нас есть еще более интересные новости о предстоящем SoC.
Snapdragon 8 Gen 4 может превзойти Apple A18
Согласно новой утечке из Китая, Snapdragon 8 Gen 4 сможет набрать 3500 баллов в одноядерном режиме. Если это окажется правдой, это будет ошеломляюще. С другой стороны, чипсет Apple A18, который, как ожидается, будет использоваться в iPhone 16 Pro Говорят, что модели набрали 3300 баллов в тесте. В утечке также говорится, что Snapdragon Многоядерная производительность и производительность графического процессора 8 Gen 4 также будут выше, чем у Apple A18.
Это означает, что Snapdragon 8 Gen 4 будет полностью доминировать над Apple A18, позволяя Galaxy Серия S25 превосходит iPhone 16 Pro расстановка. Если утечка окажется правдой, Samsung смартфон сможет превзойти iPhone впервые в одноядерном исполнении. Разве это не было бы потрясающе?
Самая высокая тактовая частота процессора в отрасли
Snapdragon 8 Gen 4 будет иметь ядра Oryon в качестве основных ядер и ядра Pheonix в качестве высокопроизводительных ядер. Согласно другой утечке, Qualcomm будет работать на частоте ядра Oryon 4,3 ГГц, что является неслыханным показателем в мобильной индустрии и значительно опережать конкурентов, а ядра Pheonix — на частоте 3,8 ГГц.
Типстер, который раскрыл эту информацию, также утверждает, что чипсет может потреблять 1,3 В для достижения этих частот, что может вызвать ряд проблем, включая перегрев и тепловое регулирование. Snapdragon 8 Gen 4 станет первым чипсетом Qualcomm, использующим процесс изготовления N3E (3 нм).
