Последнее обновление: 17 августа 2022 г., 15:05 UTC+02:00
Samsung может выпустить свои первые чипы флэш-памяти NAND с более чем 200 слоями до конца года, увеличив количество стеков по сравнению с текущим ограничением в 176 слоев. Samsung остается лидером рынка и стремится сохранить свои позиции над конкурентами, такими как SK Hynix, Micron Technology и Kioxia.
Сообщается, что корейский технологический гигант выпустит 236-слойные флэш-чипы NAND до конца года. Для достижения этой цели, Samsung также планирует создать новый центр исследований и разработок до конца августа, где компания будет заниматься исследованиями и разработкой более передовых технологий флэш-памяти NAND. (с помощью БизнесКорея)
Технология Extreme 2-stack поддерживает до 256 слоев
Samsung предположительно будет полагаться на свою технологию Extreme 2-stack для достижения 236 слоев для своих флэш-чипов NAND до конца 2022 года. Компания объявила о своей технологии Extreme 2-stack пару лет назад. Он использует экстремальное травление для достижения более высоких стеков, чем методы, используемые конкурентами.
Фактически, Samsung использует ту же технологию Extreme 2-stack Layering для создания текущих 176-слойных чипов NAND flash. Теоретически, а точнее, «математически говоря», Экстремальное двухуровневое наслоение позволяет использовать в общей сложности 256 слоев. Однако, Samsung установил ограничение в 176 слоев пару лет назад, потому что он выбрал оптимальную конфигурацию на тот момент, а не максимальное количество слоев, которое он мог бы достичь.
Благодаря новым достижениям в производстве чипсетов, Samsung теперь, как сообщается, готова оптимизировать новый дизайн флэш-памяти NAND на основе 236 слоев. Но Samsung не одинок. Другие компании, такие как SK Hynix и Micron Technology, также объявили о разработке микросхем флэш-памяти NAND на основе 236- и 232-слойной конфигурации соответственно.
Согласно с государственный деятелькорейский технологический гигант занимал 35,3% рынка флэш-памяти NAND в первом квартале 2022 года. Samsung лидировала в сегменте со значительным разрывом между ним и вторым производителем флэш-памяти NAND, Kioxia, доля рынка которого за тот же трехмесячный период составила 18,9%.
