Китайский полупроводниковый гигант SMIC, как сообщается, добился успехов в разработке 5-нм процесса. Несмотря на использование старого оборудования DUV, Digital Chat Station, известный информатор Weibo, утверждает, что 5-нм узел обеспечивает улучшенную энергоэффективность. Однако остается неопределенность относительно того, приведет ли этот прорыв к массовому производству предстоящего чипсета Kirin от Huawei в этом году.
Аналитики следят за прогрессом SMIC, поскольку компания сталкивается со значительными трудностями из-за торговых ограничений США. Доступ к передовому оборудованию EUV имеет решающее значение. Полупроводниковым гигантам оно необходимо для массового производства передовых чипов. Но у SMIC нет выбора, кроме как полагаться на старые технологии. Это привело к более высоким производственным затратам и более низкой доходности. Таким образом, по сравнению с конкурентами, такими как TSMC, SMIC все еще отстает на годы. Кстати, TSMC уже продвинула узел 3 нм. Она выпустила передовые чипы, такие как Snapdragon 8 Ген 3.
Предстоящий чипсет Kirin может не опираться на 5-нм техпроцесс SMIC
Улучшенная энергоэффективность 5-нм процесса SMIC обнадеживает. Но остаются вопросы о его жизнеспособности для высококлассных смартфонов. 7-нм узел компании в настоящее время используется для чипов Huawei Kirin 9000S и Kirin 9010. Эти чипы отстают от конкурентов, когда дело касается производительности и энергоэффективности.
По слухам, следующий чипсет Kirin от Huawei может продолжать использовать 7-нм техпроцесс SMIC. Но, скорее всего, он выйдет в виде модернизированной версии с более высокой плотностью транзисторов. Таким образом, следующая серия Mate 70 может не принести значительных улучшений производительности. Но этот подход может быть более безопасным вариантом для Huawei. Благодаря этому компания избежит рисков, связанных с новым, непроверенным процессом.
5-нм процесс SMIC все еще находится в стадии разработки. Если компания сможет преодолеть трудности и достичь массового производства с приемлемой производительностью, это может стать большим достижением для китайской полупроводниковой промышленности. Однако на данный момент основное внимание уделяется совершенствованию процесса и изучению потенциальных приложений.
