Узел 1,4 нм, в 3 раза больше емкости

Samsung на прошлой неделе на мероприятии Foundry Forum компания изложила дорожную карту своего литейного бизнеса на следующие пять лет. Компания планирует своевременно внедрить технологии производства следующего поколения и намерена производить микросхемы по технологическому процессу 1,4 нм (14 ангстрем) к 2027 году. Кроме того, компания продолжит инвестировать в новые производственные мощности в будущем, стремясь укрепить свою позицию на литейном рынке.

Поступление новых узлов

Samsung вводит новые производственные узлы и/или варианты производственных узлов каждые 12–18 месяцев в течение нескольких лет и планирует сохранять свои довольно агрессивные темпы в будущем. Хотя дорожная карта компании показывает, если отбросить фанфары, что теперь разработка новых производственных процессов занимает больше времени. Технология Gate All-round (3GAP) второго поколения класса 3 нм теперь должна появиться где-то в 2024 году. Между тем, Samsung Foundry намеревается подготовить свой 2-нм (20 ангстрем) узел в 2025 году, а 1,4-нм производственный процесс — в 2027 году.

«Благодаря успеху компании в предоставлении новейших [3 nm-class] технологический процесс для массового производства, Samsung будет и дальше совершенствовать технологию на основе Gate All-Around (GAA) и планирует представить техпроцесс 2 нм в 2025 году и процесс 1,4 нм в 2027 году», — говорится в заявлении. Samsung читает.

Нарисовав несколько очень широких мазков, по сравнению с Intel и TSMC, кажется, что TSMC немного более консервативна (что ожидаемо, когда вы являетесь крупнейшим в мире производителем микроэлектроники). Тогда как Intel ведет себя более агрессивно (что опять-таки ожидаемо, учитывая положение компании на рынке полупроводников). Между тем, наименования производственных процессов в наши дни носят по существу аспиративный характер и мало связаны с их реальными физическими измерениями. Вот почему сравнение дорожных карт различных полупроводниковых компаний в лучшем случае является неточным показателем.

В дополнение к новым «общим» узлам, Samsung планирует расширить свои программы оптимизации технологических процессов для каждого конкретного приложения, а также индивидуальные услуги для клиентов, говорится в сообщении компании.

Между тем, одна из вещей, которые Samsung особенно сделал нет упоминание в его пресс-релизе о его 1,4-нм узле – это использование оборудования с высокой числовой апертурой. Intel, со своей стороны, планирует использовать High-NA, начиная с узла Intel 18A (в 2024 г.), где он в конечном итоге заменит множественный шаблон EUV, использовавшийся при первоначальном производстве 18A.

Согласно с Samsung, внедрение новых технологических процессов и спрос на новые производственные процессы будут обусловлены уже известными мегатенденциями — искусственным интеллектом, автономными транспортными средствами, автомобильными приложениями в целом, высокопроизводительными вычислениями, 5G и, в конечном итоге, подключением к 6G. Имея в виду, что Samsung является крупным промышленным конгломератом со многими подразделениями, многие из приложений, которые он намеревается решать с помощью будущих технологических узлов, являются его собственными.

На прошлой неделе компания сообщила, что ее LSI Business (подразделение по разработке микросхем) в настоящее время предлагает около 900 продуктов, включая SoC, датчики изображения, модемы, ИС драйвера дисплея (DDI), ИС управления питанием (PMIC) и решения для обеспечения безопасности. В будущем компания планирует приложить еще больше усилий для разработки требовательных к производительности IP, включая CPU и GPU, тесно сотрудничая со своими отраслевыми партнерами (которые, предположительно, включают Arm и AMD).

Расширенная производственная мощность

Предлагать современные производственные технологии — это хорошо, но не менее важно производить эти передовые чипы в количествах, достаточных для удовлетворения потребностей рынка. С этой целью, Samsung объявила, что компания также продолжит вкладывать значительные средства в создание дополнительных производственных мощностей. В последние годы SamsungПолупроводниковые мощности CapEx составляли около 30 миллиардов долларов в год, и не похоже, что фирма планирует ограничивать свои расходы (хотя примечательно, что она не раскрывает, сколько денег она намерена потратить).

Samsung планирует расширить свои производственные мощности для своих «передовых» технологических процессов более чем в три раза к 2027 году. Хотя компании не называют узлы, которые они считают «передовыми», мы ожидаем значительного увеличения своих мощностей EUV в следующие пять лет. лет, особенно по мере того, как становится доступным больше машин ASML EUV. Между тем, компания будет использовать тактику «Shell-First» в своем расширении и сначала строить здания и чистые помещения, а затем добавлять оборудование в зависимости от рыночных условий.

SamsungНовый завод, строящийся недалеко от Тейлора, штат Техас, станет одним из основных средств компании для увеличения мощности в ближайшие годы. Первая площадка начнет производить чипы в 2024 году. И по мере того, как компания будет добавлять новые инструменты на завод и строить новые этапы, производственные мощности площадки будут увеличиваться.

Источник: Samsung